《第三代半导体产业发展报告（2025）》在汉发布 未来5至10年我国有望引领全球发展
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《第三代半导体产业发展报告（2025）》发布现场
湖北日报讯（记者马文俊、第代李源）4月24日，半导2026九峰山论坛开幕式上，体产沂南县田家镇新闻网第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲联合多位院士专家，业发有望引领共同发布《第三代半导体产业发展报告（2025）》。展报
报告显示，告汉2025年我国第三代半导体产业持续高速增长。发布发展功率电子市场规模约227亿元，未至同比增长28.6%，年国其中新能源汽车及交通领域突破148亿元；氮化镓射频器件市场达119亿元，全球增长9.2%。第代供给端，半导国内碳化硅衬底、体产沂南县田家镇新闻网外延、业发有望引领晶圆产能分别达420万、展报230万、190万片（折合6英寸），产能利用率持续提升；氮化镓功率电子外延及晶圆产能96万、74万片，产量大幅增长。
同时，国产厂商的全球市占率显著提升。天岳先进、天科合达跻身碳化硅衬底全球前三；瀚天天成、天域半导体进入碳化硅外延全球前二；英诺赛科氮化镓功率器件全球市占率保持第一。技术方面，8英寸碳化硅衬底规模化供货，12英寸碳化硅外延全球首发，超宽禁带半导体多项技术国际首发。
展望2026年，《报告》指出，我国第三代半导体产业将提质增效，功率及射频电子赛道增速有望超15%。吴玲表示，随着AI浪潮推动半导体强劲发展，宽禁带半导体成为国际竞争焦点。我国已实现从技术追赶到局部领先，光电子、射频电子、功率电子体系完整，半导体照明规模世界第一，射频电子满足国防和5G产业发展需求，功率电子材料进入国际第一梯队，但面临性价比和品牌影响力的挑战，正处在向产业领先加速迈进的关键阶段，未来5至10年有望引领全球发展，形成半导体领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。
九峰山论坛已连续举办至第四届，成为化合物半导体领域最高规格盛会。在论坛举办地中国光谷，武汉市已布局九峰山实验室、光谷实验室等化合物半导体创新平台，集聚长飞先进、先导稀材等核心企业，九峰山实验室协同全球近600家产业链伙伴、带动落地企业70余家，全市化合物半导体企业规模突破400亿元，形成高质量跨越式发展态势。
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